晶圆抛光是半导体制造中关键工序，确保晶圆表面极致平滑，为芯片制造奠基。今天我们来了解下晶圆抛光。
一、晶圆抛光是什么？
晶圆抛光是指通过机械打磨和化学作用的方式，去除硅片表面的不平整、瑕疵和杂质，使晶圆表面变得平整、光滑、无缺陷。晶圆抛光主要由中空反应炉、抛光机、抛光液等组成。这是半导体制造中非常重要的表面处理工艺，常用于制造芯片、LED和太阳能电池等。
二、晶圆为什么要抛光？
晶圆最终会被切割成芯片，封装在密闭小盒中，仅露引脚，其颜值无人问津。然而，在制造过程中，晶圆需经反复打磨抛光，以满足平坦化需求。尤其在光刻环节，晶圆表面必须极度平坦。因芯片制程不断缩小，光刻机需实现纳米级成像分辨率，需增大数值孔径，但此举会降低焦深，即光学成像聚焦深度。为保光刻图像清晰，晶圆表面起伏必须处于焦深范围内。
简而言之，光刻机为提升成像精度，牺牲了对焦能力。如新一代EUV光刻机，数值孔径0.55，但焦深仅45纳米，最佳成像区间更小。晶圆若不平坦，厚薄不均，光刻将出问题。此外，不仅光刻需晶圆表面平滑，其他造芯工序亦需打磨，如湿法刻蚀后磨平粗糙面，浅槽隔离后磨平氧化硅，金属沉积后去除溢出金属层，以防器件短路。
三、晶圆抛光方法有哪些？
抛光工艺依据抛光液与硅片表面的相互作用，可划分为三大类别：
机械抛光：通过切削和塑性变形去除硅片表面凸部，实现平滑。常用工具有油石条、羊毛轮和砂纸，以手工操作为主，特殊部件可使用转台等。超精研抛则采用特制磨具，在研抛液中高速旋转，能达到Ra0.008μm的高表面粗糙度，常用于光学镜片模具。
化学抛光：利用化学介质使硅片表面微观凸出部分优先溶解，实现平滑。此法无需复杂设备，可处理形状复杂工件，且效率高。关键在于抛光液的配制，通常能达到数十微米的表面粗糙度。
化学机械抛光（CMP）：结合机械抛光和化学抛光的优点，通过化学试剂氧化硅片表面，生成软氧化膜，再通过机械摩擦去除，反复此过程实现有效抛光。
四、PFA管在晶圆抛光设备中的作用
耐腐蚀性：PFA管具有卓越的耐腐蚀性，能够抵抗强酸、强碱和有机溶剂的侵蚀。在晶圆抛光过程中，PFA管能够承受各种化学试剂和研磨剂的腐蚀，确保管道的稳定运行。
洁净度：PFA管内壁光滑无瑕，不易吸附微粒污染物，且自身产生的微粒数量极少，能够满足超净环境的要求。在晶圆抛光过程中，这有助于减少对晶圆的污染，提高抛光质量。
应用场景：在晶圆抛光设备中，三氟莱PFA管主要用于传输管道、流体控制系统和真空系统等。其耐腐蚀性、洁净度和绝缘性等特点，能够显著提高设备的性能和生产效率。
三氟莱，高纯氟塑料制品生产厂家，半导体工厂高纯PFA管供应商。
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