一、干法刻蚀的起源
在半导体芯片的制造过程中，刻蚀技术主要分为两大类：干法刻蚀和湿法刻蚀。
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。干法刻蚀是利用气体化学反应或物理过程进行刻蚀的一种方式。
在芯片制造的早期阶段，器件结构较为粗糙，线宽间距也较大，湿法刻蚀还能满足精度的要求。然而，湿法刻蚀存在一个致命的问题：横向钻蚀（undercut），这会导致刻蚀图案的分辨率下降。随着器件的不断缩小，精度要求也越来越高。例如，DRAM中的电容沟槽需要精确到纳米级别，湿法刻蚀已经无法胜任。因此，工程师们开始探索各种干法刻蚀技术。
二、干法蚀刻的基本原理
干法蚀刻的基本原理，包括物理蚀刻，化学蚀刻，和反应离子蚀刻。
物理蚀刻主要是用plasma轰击wafer表面，粒子与粒子之间发生碰撞，达到蚀刻的目的，整个过程全部是物理变化，没有新的物质生成。物理蚀刻是各向异性的，蚀刻方向沿着plasma速度方向，其他方向基本没有蚀刻，物理蚀刻没有选择性，高能离子可能会损伤器件。
化学蚀刻主要是用plasma与wafer表面材料发生化学反应，生成副产物，然后被抽走的过程，化学蚀刻有个要求就是副产物主要是气体，容易被抽走，化学蚀刻是各项同性的，但蚀刻过程中会产生聚合物polymer，会沉积在侧壁，实现各向异性的效果，通过调节化学蚀刻气体比例可以实现不同flim的选择比。
反应离子蚀刻的原理是综合物理和化学蚀刻的过程，一般的干法蚀刻都是反应性离子蚀刻，单纯的物理和化学蚀刻很少在工业上应用。
三、干法刻蚀常用设备类型
常见的干法刻蚀设备有反应离子刻蚀机（RIE）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）、磁性中性线等离子体刻蚀机（NLD）、离子束刻蚀机（IBE）。
反应离子刻蚀机（RIE）：RIE设备的结构通常比较简单，一般由射频电源、阳极、阴极、气源和真空泵组成。在RIE刻蚀过程中，经常会产生“黑硅”现象。
电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）：随着工艺要求的不断提高，研发人员开发了电感耦合等离子体刻蚀机（ICP），该设备克服了自由基、离子不匹配的问题。
磁性中性线等离子体刻蚀机（NLD）：传统ICP刻蚀射频线圈会对刻蚀腔中的磁场产生影响，使得径向的等离子体密度不一致，并干扰刻蚀离子的运动，从而影响刻蚀均匀性。NLD技术具有更好的刻蚀均匀性，更高的刻蚀速率。除常用的介质层外，也经常用于刻蚀碳化硅等耐刻蚀材料。
离子束刻蚀机（IBE）：IBE刻蚀为纯物理轰击刻蚀，常用于氟基或者氯基等离子体无法刻蚀的材料，例如，金、铜、铂等。
四、半导体设备常用的PFA产品
1、PFA管，PFA管常见规格：
1/8英寸（1.6*3.2mm）、1/4英寸（3.96*6.35mm）、3/8英寸（6.35*9.525mm）、
1/2英寸（9.5*12.7mm）、3/4英寸（15.88*19.05mm）、1英寸（22.2*25.4mm）。
2、PFA接头，PFA焊接接头，PFA入珠接头，PFA扩口接头，三氟莱常见规格：包括1/8英寸、1/4英寸、3/8英寸、1/2英寸、3/4英寸和1英寸。
3、PFA阀门，常见规格：通常为1寸以下英制尺寸，如1/4寸、3/8寸、1/2寸、3/4寸、1寸。
4、PFA注塑件
5、PTFE车削件
三氟莱，高纯氟塑料制品生产厂家，半导体工厂高纯PFA管供应商。
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